Wang

MOS Interface Physics, Process and Characterization

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2021

174 S. 123 schwarz-weiße Abbildungen, 26 schwarz-weiße Fotos, 97 schwarz-weiße Zeichnungen, 1 schwarz-weiße Tabellen.

In englischer Sprache

Taylor & Francis. ISBN 978-1-00-045576-2

Produktbeschreibung

The electronic device based on Metal Oxide Semiconductor (MOS) structure is the most important component of a large-scale integrated circuit and the key to achieving high performance devices. This book contains experimental examples focusing on MOS and will be a reference for academics and postgraduates in the field of microelectronics.

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