Gimenez / Galembeck

Differentiated Layout Styles for MOSFETs

Electrical Behavior in Harsh Environments

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Fachbuch

Buch. Softcover

2024

vii, 216 S. 4 s/w-Abbildungen, 107 Farbabbildungen, Bibliographien.

In englischer Sprache

Springer. ISBN 978-3-031-29088-6

Format (B x L): 15,5 x 23,5 cm

Produktbeschreibung

This book describes in detail the semiconductor physics and the effects of the high temperatures and ionizing radiations in the electrical behavior of the Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), implemented with the first and second generations of the differentiated layout styles. The authors demonstrate a variety of innovative layout styles for MOSFETs, enabling readers to design analog and RF MOSFETs that operate in a high-temperature wide range and an ionizing radiation environment with high electrical performance and reduced die area. - Enables improved electrical performance, frequency response, energy efficiency, and die area usage of analog and RF CMOS ICs; - Describes innovative layout styles for MOSFETs that don’t entail an additional cost in manufacturing; - Discusses the design of analog and RF MOSFETs that operate effectively in a high-temperature wide range and an ionizing radiation environment.

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